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3DD12E

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=16A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD12E-H

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=25A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KIT-CRD-3DD12P

BuckBoostEvaluationKit

CreeCree, Inc

科銳科銳半導(dǎo)體制造商

晶體管資料

  • 型號(hào):

    3DD12C

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    50

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
CHINA
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CHINA
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深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談
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原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十
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更多3DD12C供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 15:34:00