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3DD12E中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

3DD12E
廠商型號

3DD12E
功能描述

Silicon NPN Power Transistor
文件大小

213.66 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-23 23:00:00

晶體管資料

  • 型號：

    3DD12E

  • 別名：

    3DD12E三極管、3DD12E晶體管、3DD12E晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    600V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    600

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    50

3DD12E規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 600V(Min)

· Collector Current-Continuous

-IC=16A

APPLICATIONS

· Switching Regulators

· Converters

· Power Amplifiers

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
常州銀河
23+
NA/
135000
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22+
TO-251
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原裝正品
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常州銀河
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SOT-23
20000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價

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