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3DD15

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD155

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15-120@IC=1A ·Collector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=1A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforB&WTVhorizontaloutput,regulatedpower supplyandpowe

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD1555

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY

FEATURES ●3DD1555ishighbreakdown voltageofNPNbipolartransistor. Themainprocessofmanufacture: highvoltagemesatypeprocess, triplediffusedprocessetc., adoptionoffullyplasticpackge. RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontaldeflectionoutputforcolo

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

3DD1555-O-A-N-D

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY

FEATURES ●3DD1555ishighbreakdown voltageofNPNbipolartransistor. Themainprocessofmanufacture: highvoltagemesatypeprocess, triplediffusedprocessetc., adoptionoffullyplasticpackge. RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontaldeflectionoutputforcolo

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

3DD1556

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1556 FOR LOW FREQUENCY

BVCBO1500V IC6A VCE(sat)5V(max) tf1μs(max) FEATURES ●3DD1556ishighbreakdownvoltageofNPNbipolartransistor.Themainprocessofmanufacture:highvoltagemesatypeprocess,triplediffusedprocessetc.,adoptionoffullyplasticpackge.RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontal

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

3DD1556-O-A-N-D

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1556 FOR LOW FREQUENCY

BVCBO1500V IC6A VCE(sat)5V(max) tf1μs(max) FEATURES ●3DD1556ishighbreakdownvoltageofNPNbipolartransistor.Themainprocessofmanufacture:highvoltagemesatypeprocess,triplediffusedprocessetc.,adoptionoffullyplasticpackge.RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontal

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

3DD15D

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD1555

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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3DD1555A

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555A FOR LOW FREQUENCY

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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3DD1555A-O-A-N-D

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555A FOR LOW FREQUENCY

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    3DD1507

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    300V

  • 最大電流允許值：

    0.2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-91

  • vtest：

    300

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.2

  • wtest：

    15

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    3DD15

  • 功能描述：

    3DD1545硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1545

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
24+
TO-3
10000
全新
 詢價(jià)
24+
N/A
64000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
進(jìn)口
23+
TO-3
8890
價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價(jià)
國產(chǎn)
24+
200
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
國產(chǎn)
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66800
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！
 詢價(jià)
華晶
20+
TO-3
38900
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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軍工
24+
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
衛(wèi)光
23+
TO-3
30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
臺(tái)產(chǎn)
22+
TO-3
20000
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談
 詢價(jià)
XILINX
QFP
6850
萊克訊每片來自原廠原盒原包裝假一罰十價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
更多3DD15供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-23 16:00:00

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