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3DD15B

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15C

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15D

Silicon NPN Power Transistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    3DD1507

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_功率放大 (PA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    0.2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-91

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.2

  • wtest:

    15

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    3DD15

  • 功能描述:

    3DD1545硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1545

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更多3DD15供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 16:00:00