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3DD15

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15A

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15B

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15C

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15D

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15D

SiliconNPNPowerTransistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    3DD15S-E

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    400V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-91

  • vtest：

    400

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    30

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CHINA
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳
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三極管
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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CHINA
TO-66
50
原裝現(xiàn)貨 實(shí)單可談
 詢價(jià)
更多3DD15S-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 11:10:00

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