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3DD8E

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DD8A

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=30V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DD8B

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DD8C

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DD8D

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=110V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DD8F

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=200V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    3DD8E

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    100

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更多3DD8E供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 17:30:00