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PDTA123EK

Marking：42；Package：SOT346；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA123EK

Marking：42；Package：SC-59；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA123EU

Marking：42；Package：SC-70；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA123EU

Marking：42；Package：SOT323；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver. DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplif

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA143TT

Marking：42；Package：SOT23；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC144WE

Marking：42；Package：SOT416；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = 22 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC144WE

Marking：42；Package：SOT416；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = 22 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver. DESCRIPTION NPNresistor-equippedtransistor(see“Simplif

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

TVS4201MR6T1G-TP

Marking：42；Package：SOT23-6；Low Capacitance TVS Diode Array

Features ?Lowoperatingvoltage:5V/ ?Ultralowcapacitance:1.5pFtypical(I/Otol/0) Ultralowleakage:nAlevel ?Lowclampingvoltage ?“IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:￡30kV Contactdischarge:+30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):30A(8

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

UDZ3.0B

Marking：42；Package：SOD-323；Zener diode

Features 1)Compact,2-pinmini-moldtypeforhigh-densitymounting.(UMD2) 2)Compatiblewithchipmounterforautomatedproduction. 3)Highreliability Applications Constantvoltagecontrol

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

AU0522P1

Marking：42；Package：DFN1006-3；2-Line Bi-directional Low Capacitance TVS Diode

APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd.

應(yīng)能江蘇應(yīng)能微電子股份有限公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    423

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    400V

  • 最大電流允許值：

    7A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    2SC1230,

  • 最大耗散功率：

    125W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    400

  • htest：

    999900

  • atest：

    7

  • wtest：

    125

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    42

  • 制造商：

    APEM Inc.

  • 類別：

    開關(guān) > 配件

  • 包裝：

    盒

  • 配件類型：

    安全蓋

  • 配套使用/相關(guān)產(chǎn)品：

    12000，600H，3500 系列

  • 描述：

    SECURITY GUARD GRAY LOCKDOWN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多42供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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