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4379AB51K01332	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID RFI 和 EMI - 觸頭，簧片和襯墊描述：GK NICU NRS PU V0 BELL	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
4379AB51K01725	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID RFI 和 EMI - 觸頭，簧片和襯墊描述：GK NICU NRS PU V0 BELL	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
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AM4379	文件：2.86692 Mbytes Page：266 Pages	AM437xSitaraProcessors	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
FTC4379	文件：344.73 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTC4379O	文件：344.73 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTC4379Y	文件：344.73 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HETC4379	文件：272.9 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
KTC4379	文件：381.42 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,POWERSWITCHING) POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS. POWERSWITCHINGAPPLICATIONS. FEATURES ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.5V(Max.)(IC=1A) ?HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0μS(Typ.) ?PC=1~2W(MountedonCeramicSubstrate) ?SmallFlatPackage. ?ComplementarytoKTA1666.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC4379	文件：1.0429 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●ComplementarytoKTA1666	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
KTC4379	文件：425.13 Kbytes Page：5 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
KTC4379	文件：910.25 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highspeedswitchingtime,smallflatpackageComplementarytoKTA1666. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
KTC4379	文件：179.28 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highspeedswitchingtime. ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Max). ●PC=1~2W(Mountedonceramicsubstrate). ●Smallflatpackage. ●Complementary:KTA1666. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication. ●Powerswitchingapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
KTC4379	文件：1.33665 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●ComplementarytoKTA1666	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KTC4379	文件：1.20968 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●ComplementarytoKTA1666	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
KTC4379	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?Lowsaturationvoltage ?Highspeedswitchingtime ?ComplementarytoKTA1666	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
KTC4379	文件：1.8165 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowsaturationvoltage Highspeedswitchingtime ComplementarytoKTA1666	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
KTC4379-O	文件：1.33665 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●ComplementarytoKTA1666	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
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KTC4379-Y	文件：1.33665 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
4379AB51K01725
制造商：
Laird Technologies EMI
類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RFI 和 EMI - 觸頭，簧片和襯墊
系列：
51K
包裝：
散裝
類型：
泡沫織物
形狀：
端板
寬度：
0.563"（14.30mm）
長(zhǎng)度：
17.250"（438.15mm）
高度：
0.071"（1.80mm）
材料：
聚氨酯泡沫，鎳銅聚酯（NI/CU）
描述：
GK NICU NRS PU V0 BELL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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