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GANB4R8-040CBA

Marking：4R8ACBA；Package：WLCSP22_SOT8086；40 V, 4.8 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.1 mm x 2.1 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)

1.Generaldescription TheGANB4R8-040CBAisa40V,4.8mΩbi-directionalGalliumNitride(GaN)HighElectron- Mobility-Transistor(HEMT)inaWaferLevelChip-Scale(WLCSP)package.Itisanormally-offemode deviceofferingsuperiorperformance. 2.Featuresandbenefits ?Enhancementmod

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更多4R8ACBA供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 16:06:00

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