50MT060WH_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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原廠料號:50MT060WH品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

資料說明:IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

50MT060WH是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生產(chǎn)封裝12-MTP 模塊的50MT060WH晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    50mt060wh

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  • 資料說明:

    IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    50MT060WH

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    PT

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,100A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    12-MTP 模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-MTP

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

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