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HGT1N30N60A4D_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：HGT1N30N60A4D品牌：onsemi

資料說明：IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

HGT1N30N60A4D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝SOT-227-4，miniBLOC的HGT1N30N60A4D晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    hgt1n30n60a4d

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGT1N30N60A4D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，30A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-227B

  • 描述：

    IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

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