HGT1N30N60A4D_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):HGT1N30N60A4D品牌:onsemi

資料說(shuō)明:IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

HGT1N30N60A4D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝SOT-227-4,miniBLOC的HGT1N30N60A4D晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    hgt1n30n60a4d

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGT1N30N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,30A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

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