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首頁(yè)>55GN01MA-TL-E>芯片詳情
55GN01MA-TL-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):55GN01MA-TL-E品牌:ONSEMI
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格可談
55GN01MA-TL-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商O(píng)NSEMI/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/SC-70,SOT-323的55GN01MA-TL-E晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
55GN01MA-TL-E
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類(lèi)型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
10V
- 頻率 - 躍遷:
4.5GHz ~ 5.5GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
1.9dB @ 1GHz
- 增益:
10dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值:
400mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
70mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-70,SOT-323
- 供應(yīng)商器件封裝:
3-MCP
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳良洲科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊夢(mèng)琪
- 手機(jī):
19128244554
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-21010605
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1005、1007、1015號(hào)華強(qiáng)電子世界2號(hào)樓2層22C081
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