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55GN01MA-TL-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

55GN01MA-TL-E參考圖片

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  • 廠家型號：

    55GN01MA-TL-E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    68980

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    兩年內(nèi)

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-12-27 14:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：55GN01MA-TL-E品牌：ONSEMI

原裝現(xiàn)貨,實單價格可談

55GN01MA-TL-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ONSEMI/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/SC-70，SOT-323的55GN01MA-TL-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    55GN01MA-TL-E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    308.02 kb

  • 資料說明：

    RF Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    55GN01MA-TL-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz ~ 5.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益：

    10dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值：

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3-MCP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳良洲科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊夢琪

  • 手機：

    19128244554

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-21010605

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1005、1007、1015號華強電子世界2號樓2層22C081

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