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600F8R2BT250XT	文件：195.94 Kbytes Page：13 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor Designedforhandheldtwo?wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features ?Characterizedforoperationf	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
600F8R2BT250XT	文件：345.5 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-Low ESR, High Q, NPO RF Microwave Capacitors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
600F8R2BT250XT	文件：374.42 Kbytes Page：8 Pages	RF Power GaN Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
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600F8R2BT250XT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：0805（2012 公制）類別：電容器陶瓷電容器描述：CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0805	ATC American Technical Ceramics Corp	ATC
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ATC600F8R2BT250XT	文件：254.82 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
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ATC600F8R2BT250XT	文件：555.89 Kbytes Page：21 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
ATC600F8R2BT250XT	文件：1.43744 Mbytes Page：27 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導體	freescale
ATC600F8R2BT250XT	文件：985.86 Kbytes Page：21 Pages	RFPowerLDMOSTransistors	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導體	freescale

產品屬性

產品編號：
600F8R2BT250XT
制造商：
American Technical Ceramics
類別：
電容器 > 陶瓷電容器
系列：
ATC 600F
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
容差：
±0.1pF
電壓 - 額定：
250V
溫度系數(shù)：
C0G，NP0
工作溫度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低損耗，超低 ESR
應用：
射頻，微波，高頻，旁通，去耦
安裝類型：
表面貼裝，MLCC
封裝/外殼：
0805（2012 公制）
大小 / 尺寸：
0.079" 長 x 0.049" 寬（2.01mm x 1.24mm）
厚度（最大值）：
0.051"（1.30mm）
描述：
CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0805

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更多600F8R2BT250XT供應商更新時間2024-12-26 16:04:00

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