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ATC600F8R2BT250XT

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

ATC600F8R2BT250XT

RF Power LDMOS Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

ATC600F8R2BT250XT

RF Power LDMOS Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

ATC600F8R2BT250XT

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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RF Power GaN Transistor

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600F8R2BT250XT

AirfastRFPowerLDMOSTransistor

Designedforhandheldtwo?wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features ?Characterizedforoperationf

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RFPowerLDMOSTransistor

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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美國ATC
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2000
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更多ATC600F8R2BT250XT供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 10:02:00

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