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60L02GJ	文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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GE60L02	文件：253.58 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE60L02providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. Thethrough-holeversion(TO-220)isavailableforlow-profileapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverte	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
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