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GT60M303

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORSILICONNCHANNELIGBT

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS ●FourthgenerationIGBT ●FRDincludedbetweenemitterandcollector ●Enhancementmodetype ●Highspeed IGBT:tf=0.25μs(TYP.) FRD:trr=0.7μs(TYP.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.1V(TYP.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT60M303

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

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GT60M303

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT60M303A

DiscreteIGBTs

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GT60M303-Q

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS

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更多60M303供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 16:30:00

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