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GT60M303中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT60M303
廠商型號

GT60M303

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

文件大小

426.72 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-27 22:30:00

GT60M303規(guī)格書詳情

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

● Fourth generation IGBT

● FRD included between emitter and collector

● Enhancement mode type

● High speed

IGBT : tf = 0.25μs (TYP.)

FRD : trr = 0.7μs (TYP.)

● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT60M303

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 900V 60A 3PIN TO-3P(LH) - Rail/Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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