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60N321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

60N321
廠商型號

60N321

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

文件大小

173.5 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 14:24:00

60N321規(guī)格書詳情

High Power Switching Applications

The 4th Generation

? FRD included between emitter and collector

? Enhancement-mode

? High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A)

FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
1280
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
S
22+
SOT-252
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
ST
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
ST
1030+
TO-251
1280
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
HITACHI/日立
23+
60N321
45000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道??商峁┐罅繋齑?詳
詢價
TOSHIBA
23+
TO-264
3000
全新原裝
詢價
TOSHIBA
23+
TO-3P
9526
詢價
S
SOT-252
22+
6000
十年配單,只做原裝
詢價
ST
21+
TO-251
9866
詢價
ST
22+
TO-251
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!
詢價