60N321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
60N321 |
功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
文件大小 |
173.5 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱(chēng) | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-15 18:58:00 |
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High Power Switching Applications
The 4th Generation
? FRD included between emitter and collector
? Enhancement-mode
? High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A)
FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs)
? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
TO-251 |
18000 |
全新原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
Anaren |
NA |
5500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢(xún)價(jià) | |||
TOSHIBA |
23+ |
TO-264 |
3000 |
全新原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1280 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
1030+ |
TO-251 |
1280 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
9526 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO-251 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢(xún)價(jià) | ||
17 |
24+ |
TO-252 |
45000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO252 |
8540 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
JST/日壓 |
2508+ |
/ |
415341 |
一級(jí)代理,原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) |