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60N321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

60N321
廠商型號(hào)

60N321

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

文件大小

173.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA東芝

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-15 18:58:00

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60N321規(guī)格書(shū)詳情

High Power Switching Applications

The 4th Generation

? FRD included between emitter and collector

? Enhancement-mode

? High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 60 A)

FRD : trr = 0.8 μs (typ.) (di/dt = ?20 A/μs)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
25+
TO-251
18000
全新原裝
詢(xún)價(jià)
Anaren
NA
5500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
23+
TO-264
3000
全新原裝
詢(xún)價(jià)
ST/意法
24+
NA/
1280
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢(xún)價(jià)
ST
1030+
TO-251
1280
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
23+
TO-3P
9526
詢(xún)價(jià)
ST
23+
TO-251
16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢(xún)價(jià)
17
24+
TO-252
45000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢(xún)價(jià)
ST/意法
24+
TO252
8540
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
詢(xún)價(jià)
JST/日壓
2508+
/
415341
一級(jí)代理,原裝現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)