首頁(yè) >60N321>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)下載 訂購(gòu)功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

60N321

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT60N321

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

GT60N321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT60N321

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA
23+
TO-264
3000
全新原裝
 詢價(jià)
TOSHIBA
23+
TO-3P
9526
詢價(jià)
HITACHI/日立
23+
60N321
45000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳
 詢價(jià)
TOSHIBA原裝專賣價(jià)格
2023+
原裝
8700
原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST/意法
23+
TO-251
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
S
SOT-252
22+
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
ST
1030+
TO-251
1280
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
ST
21+
TO-251
9866
詢價(jià)
ST
23+
TO-251
16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
S
22+
SOT-252
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
更多60N321供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-25 16:28:00

相關(guān)規(guī)格書(shū)

更多

相關(guān)庫(kù)存

更多