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IPA60R520E6

Marking:6R520E6;Package:PG-TO220FullPAK;Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffered

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R520E6

Marking:6R520E6;Package:PG-TO220;Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffered

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更多6R520E6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-29 15:00:00