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70T3509MS133BPG

HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatfeatures ◆Inter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BPG

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPG

Package：256-BGA；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70T3509MS133BPGI

HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatfeatures ◆Inter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BPG8

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPGI

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPGI8

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPGI

Package：256-BGA；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70T3509MS133BPI

HIGH-SPEED2.5V1024Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatfeatures ◆Inter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT70T3509MS133BPG

HIGH-SPEED2.5V1024Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    70T3509MS133BPG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲(chǔ)容量：

    36Mb（1M x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 描述：

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多70T3509MS133BPG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 8:02:00

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