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70T3519S133BFI8集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70T3519S133BFI8
廠商型號

70T3519S133BFI8

參數(shù)屬性

70T3519S133BFI8 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

封裝外殼

208-LFBGA

文件大小

619.67 Kbytes

頁面數(shù)量

30

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 18:30:00

70T3519S133BFI8規(guī)格書詳情

Features:

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed data access

– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz)(max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

◆ Counter enable and repeat features

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆ Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    70T3519S133BFI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,同步

  • 存儲容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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