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70T3519S200BC8

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3519S200BC8

包裝:托盤 封裝/外殼:256-LBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70T3519S200BC8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,同步

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    256-CABGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多70T3519S200BC8供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 13:02:00