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70T651S12BFG	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T651S12BFG	文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T651S12BFGI	文件：431.37 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T651S12BFGI8	文件：431.37 Kbytes Page：29 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T651S12BFG8	文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70T651S12BFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-LFBGA；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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