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70T659S15BC集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
70T659S15BC |
參數(shù)屬性 | 70T659S15BC 封裝/外殼為256-LBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
文件大小 |
431.37 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
29 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-6 9:33:00 |
70T659S15BC規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
70T659S15BC
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲(chǔ)容量:
4.5Mb(128K x 36)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
15ns
- 電壓 - 供電:
2.4V ~ 2.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
256-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
256-CABGA(17x17)
- 描述:
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1822+ |
TO-247 |
9852 |
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詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
23+ |
5000 |
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IR |
21+ |
TO-247 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS(瑞薩電子) |
22+ |
NA |
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詢價(jià) | ||
IR |
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