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70V24L15JG集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
70V24L15JG |
參數(shù)屬性 | 70V24L15JG 封裝/外殼為84-LCC(J 形引線);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
文件大小 |
570.24 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
26 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-7 18:30:00 |
70V24L15JG規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ High-speed access
IDT70V35
– Commercial: 15ns (max.)
– Industrial: 20ns
IDT70V34
– Commercial: 15ns (max.)
IDT70V25
– Commercial: 15/35ns (max.)
– Industrial: 20/25ns
IDT70V24
– Commercial: 15//35/55ns (max.)
– Industrial: 15/20ns
◆ Low-power operation
– IDT70V35/34L
Active: 415mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
70V24L15JG屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V24L15JG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
70V24L15JG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲容量:
64Kb(4K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
15ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
84-LCC(J 形引線)
- 供應(yīng)商器件封裝:
84-PLCC(29.31x29.31)
- 描述:
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
TQFP100(14x14) |
6000 |
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詢價 | ||
Renesas Electronics Corporatio |
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詢價 | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
1921+ |
PLCC-84(29.21x29.21) |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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