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70V24L20PFGI8集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
70V24L20PFGI8 |
| 參數(shù)屬性 | 70V24L20PFGI8 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
570.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
26 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-4 14:50:00 |
70V24L20PFGI8規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ High-speed access
IDT70V35
– Commercial: 15ns (max.)
– Industrial: 20ns
IDT70V34
– Commercial: 15ns (max.)
IDT70V25
– Commercial: 15/35ns (max.)
– Industrial: 20/25ns
IDT70V24
– Commercial: 15//35/55ns (max.)
– Industrial: 15/20ns
◆ Low-power operation
– IDT70V35/34L
Active: 415mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
70V24L20PFGI8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲(chǔ)容量：
64Kb（4K x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
20ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
1921+ |
TQFP-100(14x14) |
3575 |
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詢價(jià) | ||
INTEGRATEDDEVICETECHNOLO |
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231 |
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IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
100-TQFP(14x14) |
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21+ |
100-TQFP |
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