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70V3399S133BFI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70V3399S133BFI
廠商型號

70V3399S133BFI

參數屬性

70V3399S133BFI 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

文件大小

544.14 Kbytes

頁面數量

24

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-12-29 9:20:00

70V3399S133BFI規(guī)格書詳情

Features:

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed data access

– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)

◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

– Due to limited pin count PL/FT option is not supported

on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined

outputs only on each port.

◆ Counter enable and repeat features

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆ Full synchronous operation on both ports

– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)

– Fast 3.6ns clock to data out

– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 166MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

產品屬性

  • 產品編號:

    70V3399S133BFI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 雙端口,同步

  • 存儲容量:

    2Mb(128K x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-LFBGA

  • 供應商器件封裝:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA

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