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70V3399S133BFI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
70V3399S133BFI |
參數屬性 | 70V3399S133BFI 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
文件大小 |
544.14 Kbytes |
頁面數量 |
24 頁 |
生產廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2024-12-29 9:20:00 |
70V3399S133BFI規(guī)格書詳情
Features:
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
– Due to limited pin count PL/FT option is not supported
on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined
outputs only on each port.
◆ Counter enable and repeat features
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆ Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
產品屬性
- 產品編號:
70V3399S133BFI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 雙端口,同步
- 存儲容量:
2Mb(128K x 18)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
208-LFBGA
- 供應商器件封裝:
208-CABGA(15x15)
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
21+ |
25000 |
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詢價 | |||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
208-LFBGA |
8600 |
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詢價 | ||
24+ |
N/A |
46000 |
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詢價 | |||
IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
208-CABGA(15x15) |
56200 |
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Integrated Device Technology |
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原廠原包裝 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
CABGA208(15x15) |
7350 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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CABGA208(15x15) |
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IDT, Integrated Device Technol |
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22+ |
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10000 |
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RENESAS(瑞薩電子) |
22+ |
NA |
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