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70V3579S4BFG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
70V3579S4BFG |
參數(shù)屬性 | 70V3579S4BFG 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
文件大小 |
184.83 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-7 15:16:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
70V3579S4BFG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,同步
- 存儲容量:
1.125Mb(32K x 36)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
208-LFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
208-CABGA(15x15)
- 描述:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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