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70V3579S4BFG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

70V3579S4BFG
廠商型號

70V3579S4BFG

參數(shù)屬性

70V3579S4BFG 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM

文件大小

184.83 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-7 15:16:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    70V3579S4BFG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,同步

  • 存儲容量:

    1.125Mb(32K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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