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70V659S12DRGI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

70V659S12DRGI
廠商型號(hào)

70V659S12DRGI

參數(shù)屬性

70V659S12DRGI 封裝/外殼為208-BFQFP;包裝為托盤(pán);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

封裝外殼

208-BFQFP

文件大小

321.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

26 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 23:00:00

70V659S12DRGI規(guī)格書(shū)詳情

Features

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 10/12/15ns (max.)

– Industrial: 12ns (max.)

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits

or more using the Master/Slave select when cascading

more than one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Busy and Interrupt Flags

◆ On-chip port arbitration logic

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70V659S12DRGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-BFQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    208-PQFP(28x28)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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