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70V7339S133BCI

HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V7339S133BCI

Package：256-LBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V7339S133BCI8

HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V7339S133BCI8

Package：256-LBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V7339S133BF

HIGH-SPEED3.3V512Kx18SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V7339S133BFG

HIGH-SPEED3.3V512Kx18SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V7339S133BFGI

HIGH-SPEED3.3V512Kx18SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V7339S133BFI

HIGH-SPEED3.3V512Kx18SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT70V7339S133BC

HIGH-SPEED3.3V512Kx18SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V7339S133BCI

HIGH-SPEED3.3V512Kx18SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V7339S133BCI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-LBGA

  • 供應商器件封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多70V7339S133BCI供應商 更新時間2025-1-22 13:02:00

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