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70V7339S133BF	文件：540.39 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V7339S133BF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：208-LFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V7339S133BF8	文件：540.39 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V7339S133BFI	文件：540.39 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V7339S133BFI8	文件：540.39 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V7339S133BFG	文件：745.25 Kbytes Page：22 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V7339S133BFI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：208-LFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V7339S133BFI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：208-LFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
70V7339S133BF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤(pán)
存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，同步
存儲(chǔ)容量：
9Mb（512K x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
208-LFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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