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71124S12YG

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71124S12YG8

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise. ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71124S12YG

Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

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71124S12YG8

Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71124S12Y

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71124S12YI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)RevolutionaryPinout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71124S12YG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71124S12Y供應(yīng)商 更新時間2025-3-6 14:19:00

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