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71V124SA12YG集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
71V124SA12YG |
| 參數(shù)屬性 | 71V124SA12YG 封裝/外殼為32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| 文件大小 |
192.06 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-4 11:06:00 |
71V124SA12YG規(guī)格書詳情
Features
◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
reduced noise
◆ Equal access and cycle times
– Commercial: 10/12/15ns
– Industrial: 10/12/15ns
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible
◆ Single 3.3V supply
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and
32-pin Type II TSOP packages
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
71V124SA12YG
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量：
1Mb（128K x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
12ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
32-SOJ
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
52000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
2117+ |
SOJ-32 |
315000 |
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詢價(jià) | ||
IDT |
1535+ |
673 |
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22+ |
32-BSOJ |
25000 |
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IDT, Integrated Device Technol |
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