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71V2546S100BG

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S100BG

包裝：托盤 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V2546S100BG8

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S100BGI

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S100BGI8

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S100BGG

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S100BGG8

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S100BGGI

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S100BGGI8

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S100BGI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100MHZ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V2546S100BGI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100MHZ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V2546S100BG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多71V2546S100BG供應商 更新時間2025-1-4 8:01:00

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