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71V2546S133BG8

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S133BG8

包裝：管件 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V2546S133BG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多71V2546S133BG8供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 15:00:00

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