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71V2546S133BG

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S133BG

Package：119-BGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V2546S133BG8

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S133BGI

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S133BGI8

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V2546S133BGG

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S133BGG8

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S133BGGI

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S133BGGI8

3.3V Synchronous ZBT SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V2546S133BGI

Package：119-BGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V2546S133BG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V2546S133BG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 13:02:00

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