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71V256S10YG

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V256S10YG8

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V256S10YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V256S10YG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 10:00:00

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