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71V25761S200PFGI

128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆128Kx36memoryconfiguration ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –200MHz3.1nsclockaccesstime –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V25761S200PFGI

包裝：托盤 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V25761S200PFGI8

128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆128Kx36memoryconfiguration ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –200MHz3.1nsclockaccesstime –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V25761S200PFGI8

包裝：托盤 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V25761S200PFG

128KX363.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features ◆128Kx36memoryconfiguration ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –200MHz3.1nsclockaccesstime –183MHz3.3nsclockaccesstime –166MHz3.5nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V25761S200BG

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V25761S200BGI

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V25761S200BQ

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V25761S200BQI

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V25761S200PF

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V25761S200PFI

128KX36,256KX183.3VSynchronousSRAMs2.5VI/O,PipelinedOutputs,BurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V25761S200PFGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V25761S200PFGI供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 10:00:00

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