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71V25761S200PFGI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
71V25761S200PFGI |
| 參數(shù)屬性 | 71V25761S200PFGI 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 文件大小 |
278.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-29 13:40:00 |
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Features
◆ 128K x 36 memory configuration
◆ Supports high system speed:
Commercial and Industrial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
71V25761S200PFGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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