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71V25761S200PFGI8集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V25761S200PFGI8
廠商型號

71V25761S200PFGI8

參數(shù)屬性

71V25761S200PFGI8 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

文件大小

278.36 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-29 13:30:00

71V25761S200PFGI8規(guī)格書詳情

Features

◆ 128K x 36 memory configuration

◆ Supports high system speed:

Commercial and Industrial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71V25761S200PFGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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