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71V256SA15YG

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA15YG8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA15YGI

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA15YGI8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA15YPZG

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V256SA15YPZG8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V256SA15YPZGI

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V256SA15YPZGI8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V256SA15YG8

包裝：管件 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

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71V256SA15YGI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

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71V256SA15YGI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V256SA15YG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多71V256SA15Y供應商 更新時間2024-11-15 8:30:00

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