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71V3556SA100BGI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

71V3556SA100BGI
廠商型號

71V3556SA100BGI

參數(shù)屬性

71V3556SA100BGI 封裝/外殼為119-BGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件大小

337.62 Kbytes

頁面數(shù)量

29

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-30 23:00:00

71V3556SA100BGI規(guī)格書詳情

Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36)

(3.5 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71V3556SA100BGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存儲(chǔ)容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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