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71V3576S150PFGI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V3576S150PFGI
廠商型號

71V3576S150PFGI

參數(shù)屬性

71V3576S150PFGI 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

封裝外殼

100-LQFP

文件大小

220.08 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-16 18:04:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71V3576S150PFGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

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