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71V3576S150PFGI

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V3576S150PFGI

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V3576S150PFGI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V3576S150PFGI8

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: CommercialandIndustrial: –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V3576S150PFGI8

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V3576S150PFGI8

包裝：托盤 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V3576S150BG

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3576S150BGI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3576S150BQ

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3576S150BQI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3576S150PF

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V3576S150PFI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,PipelinedOutputsBurstCounter,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V3576S150PFGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多71V3576S150PFGI供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 10:00:00

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