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71V416L12YG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

71V416L12YG
廠商型號

71V416L12YG
參數(shù)屬性

71V416L12YG 封裝/外殼為44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
功能描述

3.3V CMOS Static RAM
文件大小

645.53 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-10-26 22:59:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V416L12YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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