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71V416S15YG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YG8

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 封裝/外殼:44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

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Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V416S15YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT
1406
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原裝正品
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IDT, Integrated Device Technol
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更多71V416S15YG8供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 9:04:00