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71V416S15YG8集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V416S15YG8 |
參數(shù)屬性 | 71V416S15YG8 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
文件大小 |
645.53 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-28 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
71V416S15YG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
4Mb(256K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
15ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
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