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71V424L12YG集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
71V424L12YG |
| 參數(shù)屬性 | 71V424L12YG 封裝/外殼為36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
| 文件大小 |
72.68 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IDT |
| 中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-1 11:06:00 |
71V424L12YG規(guī)格書(shū)詳情
Description
The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.
Features
◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆Single 3.3V power supply
◆One Chip Select plus one Output Enable pin
◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
◆Low power consumption via chip deselect
◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
71V424L12YG
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量：
4Mb（512K x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
12ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
36-SOJ
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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