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71V424L10PHGI8集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
71V424L10PHGI8 |
| 參數(shù)屬性 | 71V424L10PHGI8 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit) |
| 封裝外殼 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） |
| 文件大小 |
189.42 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-19 16:54:00 |
71V424L10PHGI8規(guī)格書詳情
Features
◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆ Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆ Single 3.3V power supply
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Bidirectional data inputs and outputs directly
TTL-compatible
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and
44-pin, 400 mil TSOP.
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
71V424L10PHGI8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
4Mb（512K x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應商器件封裝：
44-TSOP II
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
1921+ |
TSOPII-44 |
3575 |
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詢價 | ||
Renesas |
21+ |
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詢價 | |||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
44-TSOP |
8600 |
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詢價 | ||
IDT |
22+ |
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25000 |
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IDT |
22+ |
36SOJ |
10000 |
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詢價 | ||
RENESAS(瑞薩電子) |
22+ |
NA |
500000 |
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂 |
詢價 | ||
Integrated Device Technology |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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詢價 | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
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TSOPII-44 |
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IDT |
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36SOJ |
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IDT |
23+ |
36SOJ |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
